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相位控制技术两大大类
出处: 时间:2012.12.17

摘要:相位控制技术两大大类
       尽管单管半导体激光器在输出功率和光束质量等方面与其他类型的高能激光器相比没有优势,但是由于半导体激光器低成本、高效率、全固态、高可靠性等优势,其在军事领域的应用前景还是被普遍看好。半导体激光相干合成的计划至今仍在进行中,美国国防部高级研究计划局(DARPA)近年来连续启动相干合成高功率单模发射器(COCHISE)和高能半导体激光系统体系结构(ADHELS)等项目,旨在通过大功率、高效率的半导体激光阵列相干合成产生100kW量级的高亮度激光。

    采用相位控制技术锁定各路激光的相位是实现相干合成的基本条件。相位控制技术可以分为主动相位控制和被动相位控制两大类。回顾并分析相干合成的发展历史不难发现,在光纤激光发展成大功率器件及其相干合成技术引起人们关注之前,各国学者已经对包括气体激光、化学激光、半导体激光、固体激光在内的各种类型激光光束相干合成开展了深入的研究。但实验结果在合成效率和数目可扩展性方面的性能并不令人满意。

本文编辑镭邦光电www.lead-boom.com

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